دیتاشیت IXTN21N100*

IXT(K,N)21N100

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IXT(K,N)21N100
حجم فایل 140.459 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 4

دانلود دیتاشیت IXT(K,N)21N100

IXT(K,N)21N100 Datasheet

مشخصات

  • Manufacturer: IXYS
  • Series: MegaMOS™
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Active
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 500mA, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 500µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400pF @ 25V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Chassis Mount
  • Supplier Device Package: SOT-227B
  • Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
  • detail: N-Channel 1000V 21A (Tc) 520W (Tc) Chassis Mount SOT-227B

دیتاشیت محصولات مشابه